微電子所硅光平臺(tái)每年可對(duì)外提供 6-8 次基于 8 英寸 SOI 襯底130nm工藝節(jié)點(diǎn)的MPW流片服務(wù),工藝模塊包括220 nm/150 nm/70 nm等深度的無(wú)源器件刻蝕工藝、高速調(diào)制器摻雜工藝、TiN 加熱器工藝、 鍺探測(cè)器外延工藝、硅和鍺的歐姆接觸及金屬互連工藝等。

采用標(biāo)準(zhǔn)工藝,將多個(gè)客戶(hù)的 BLOCK(8/16/32 個(gè))在一個(gè)晶圓上進(jìn)行流片, 降低成本