微電子所硅光平臺每年可對外提供 6-8 次基于 8 英寸 SOI 襯底 130nm工藝節(jié)點的MPW流片服務,工藝模塊包括220 nm/150 nm/70 nm 等深度的無源器件刻蝕工藝、高速調制器摻雜工藝、TiN 加熱器工藝、 鍺探測器外延工藝、硅和鍺的歐姆接觸及金屬互連工藝等。
微電子所硅光平臺每年可對外提供 6-8 次基于 8 英寸 SOI 襯底130nm工藝節(jié)點的MPW流片服務,工藝模塊包括220 nm/150 nm/70 nm等深度的無源器件刻蝕工藝、高速調制器摻雜工藝、TiN 加熱器工藝、 鍺探測器外延工藝、硅和鍺的歐姆接觸及金屬互連工藝等。
采用標準工藝,將多個客戶的 BLOCK(8/16/32 個)在一個晶圓上進行流片, 降低成本