基于普通體硅襯底進(jìn)行 LPCVD 和 PECVD 氮化硅 PDK 器件庫(kù)開(kāi)發(fā),研發(fā) 出了覆蓋 100-800nm 厚度的超低損耗 PESIN 工藝,部分器件指標(biāo)如下
查看詳情微電子所硅光平臺(tái) PDK 已實(shí)現(xiàn)與主流光子集成設(shè)計(jì)軟件集成。用戶可 以在軟件中調(diào)用 IMECAS 工具包,利用平臺(tái) PDK 提供的器件庫(kù),便捷、靈活 地進(jìn)行符合平臺(tái)規(guī)范的硅光芯片設(shè)計(jì)。
查看詳情平臺(tái)配置了商用級(jí) 8/12 英寸硅光晶圓測(cè)試系統(tǒng),該解決方案基于成 熟可靠的 12 寸探針臺(tái)和納米級(jí)精密定位組件,搭建起高效且兼容性高的 光電混合測(cè)試系統(tǒng)。
查看詳情面向后摩爾時(shí)代微電子與光電子的發(fā)展需求,中國(guó)科學(xué)院微電子所基于 8 英寸 CMOS 工藝線開(kāi)發(fā)國(guó)內(nèi)首個(gè)具有完整硅光工藝流片能力的 8 英寸硅光 平臺(tái)。
查看詳情國(guó)內(nèi)首個(gè) 8 英寸硅光平臺(tái),2017 年 5 月正式發(fā)布,專注于硅基光子集成芯片制造工藝, 產(chǎn)業(yè)化公司運(yùn)營(yíng)服務(wù),專業(yè)高效的服務(wù)流程,已累計(jì)服務(wù)客戶 300 余家
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