2024-01-04
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2024年1月有源MPW收集中；無源MPW收集中，雙節(jié)同慶優(yōu)惠多！請(qǐng)?jiān)斣? 流片注冊(cè): services@hopho.com.cn ——預(yù)定從速—— Part 1 平臺(tái)介紹 ▲中科院微電子所硅光平臺(tái)以8英寸CMOS工藝線為支撐，開發(fā)成套的硅光工藝模塊，建立了硅光設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)、光電測(cè)試平臺(tái)。 ▲2016年12月，平臺(tái)公開發(fā)布首版PDK；2020年12月，發(fā)布硅光平臺(tái)PDK2.0；2022年2月更新至PDK2.1。 Part 2 技術(shù)服務(wù) ▲平臺(tái)主要工藝模塊包括220nm/150nm/70nm無源器件刻蝕工藝、高速調(diào)制器和鍺探測(cè)器的摻雜工藝、介質(zhì)材料生長工藝、TiN加熱器電極工藝、鍺材料外延工藝、鎢填充孔工藝、硅和鍺的歐姆接觸及金屬層工藝等。 ▲平臺(tái)配置了8-12英寸硅光晶圓自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，該解決方案基于成熟可靠的12寸探針臺(tái)和納米級(jí)精密自對(duì)準(zhǔn)定位組件，搭建起高效且兼容性高的光電混合測(cè)試系統(tǒng)。 ▲平臺(tái)還配置了納米級(jí)端面耦合測(cè)試系統(tǒng)，針對(duì)不同的耦合方式為為客戶提供不同的測(cè)試解決方案。 ▲平臺(tái)建立了全程可追溯的測(cè)試數(shù)據(jù)庫，持續(xù)向客戶推出各類靈活、可靠、可升級(jí)的產(chǎn)品和服務(wù)。 ▲ IMECAS硅光平臺(tái)部分工藝及器件 基于220nm頂硅、3μm BOX層、高阻SOI襯底進(jìn)行硅光薄硅PDK器件 庫開發(fā)，具體器件指標(biāo)如下： 基于普通體硅襯底進(jìn)行LPCVD和PECVD氮化硅PDK器件庫開發(fā)，研發(fā)出了覆蓋100-800nm厚度的超低損耗PESIN工藝，部分器件指標(biāo)如下： ▲ 200m氮化硅器件庫 ▲ 400nm氮化硅器件庫 ▲ IMECAS硅光平臺(tái)全自動(dòng)耦合晶圓級(jí)測(cè)試平臺(tái)+芯片級(jí)測(cè)試平臺(tái) ▲平臺(tái)每年可對(duì)外提供6-8次MPW流片服務(wù)，目前已為行業(yè)提供 24 批次MPW流片服務(wù)，同時(shí)為了滿足客戶的特殊工藝要求，可提供工藝定制服務(wù)。 Part 3 參考價(jià)格 ▲ 硅光MPW版圖提交請(qǐng)發(fā)送GDSII文件至services@hopho.com.cn